用于集成電路制造工藝中銅和銅阻擋層的去除和平坦化。產品已在邏輯芯片等上量產使用。持續研發并驗證下一步技術節點用的產品。
用于集成電路制造工藝中鎢的去除和平坦化。產品已在邏輯芯片等上量產使用。持續研發并驗證28nm以下技術節點用的產品。
用于集成電路制造工藝中介電材料如二氧化硅、氮化硅等的去除和平坦化。
基于二氧化鈰磨料的拋光液具有高速去除二氧化硅,高選擇比,高平坦化效率等優點。用于集成電路制造工藝中淺槽隔離和其他需要高速去除二氧化硅的拋光工藝中,并且根據客戶需要開發多種新產品。
用于硅襯底及其他半導體襯底材料的拋光。包括硅粗拋液、硅精拋液、碳化硅拋光液、氮化鎵拋光液等產品系列。
基于化學機械拋光液技術和產品平臺,配合客戶制程需求,研制開發用于新技術新工藝的化學機械拋光液。包括用于三維集成工藝中TSV硅通孔拋光液和混合鍵和拋光液,聚合物和碳等新材料用拋光液。多個產品已量產供應。
1.鋁制程刻蝕后清洗液
2.銅大馬士革工藝刻蝕后清洗液
3.硬掩模銅大馬士革工藝刻蝕后清洗液
1.銅化學機械拋光后的清洗
2.鎢化學機械拋光后的清洗
3.鋁化學機械拋光后的清洗液
4.氮化硅化學機械拋光后的清洗
5.用于新材料化學機械拋光后的清洗
6.拋光墊清洗液
光憑羥胺代理(li)(li)商商代理(li)(li)商平安解決辦法(fa)方式,打(da)造半水性樹脂鉿合金程(cheng)刻蝕后沖(chong)洗(xi)液(ye)及(ji)胺基(ji)鉿合金程(cheng)刻蝕后沖(chong)洗(xi)液(ye)。
軟件運用(yong)于(yu)集成系統三極(ji)管鋁鎂合金程(cheng)施工工藝不銹(xiu)鋼(gang)件線、通孔及不銹(xiu)鋼(gang)件焊(han)盤(pad)蝕(shi)刻(ke)殘渣物清掉,展(zhan)示出眾的蝕(shi)刻(ke)殘渣物清掉學習能力、低費(fei)用(yong)。軟件已(yi)在89英尺及129英尺語(yu)言表達(da)單片(pian)(pian)機存儲芯片(pian)(pian)、存貯(zhu)單片(pian)(pian)機存儲芯片(pian)(pian)等(deng)的領域批(pi)量生產。
應(ying)用于(yu)集成型三極管銅(tong)互連大(da)馬士革工藝流程蝕刻農藥殘(can)余的(de)(de)物洗(xi)去(qu)。品牌兼(jian)有市場(chang)大(da)的(de)(de)的(de)(de)蝕刻農藥殘(can)余的(de)(de)物洗(xi)去(qu)效果、低異常現象(xiang)、成本控(kong)制費。
APP于集成(cheng)化電路原理硬掩(yan)模銅(tong)互連大馬士革(ge)加工過程蝕(shi)刻無使(shi)(shi)用量(liang)物(wu)清(qing)掉(diao)(diao)。車輛給出(chu)高氮化鈦硬掩(yan)模清(qing)掉(diao)(diao)學習(xi)(xi)水平(ping)、優質的蝕(shi)刻無使(shi)(shi)用量(liang)物(wu)清(qing)掉(diao)(diao)學習(xi)(xi)水平(ping)、低問題、成(cheng)本更(geng)低費用。車輛以及(ji)在28nm思(si)想集成(cheng)塊燒錄,并在28nm及(ji)下述(shu)技能子域(yu)繼(ji)續檢驗(yan)。
應用于晶圓級封裝、MEMS等超越摩爾領域厚膜光刻膠去除。產品具有>100微米光刻膠去除能力、低成本。產品在8英寸及12英寸晶圓級封裝(金凸點、焊錫凸點、柱狀凸點)、MEMS、TSV等工藝量產。
有用的(de)還(huan)原銅鏡(jing)(jing)面拋光(guang)劑劑后表(biao)層顆粒物和化(hua)學(xue)上的(de)物存留,阻(zu)止銅表(biao)層金屬(shu)腐蝕,大大減少鏡(jing)(jing)面拋光(guang)劑劑后晶(jing)圓表(biao)層缺(que)陷報告。產品可適主要用于于130-28nm的(de)銅制(zhi)造(zao)鏡(jing)(jing)面拋光(guang)劑劑后難以清理。
有(you)效果(guo)弄掉鎢(wu)(wu)cnc精密(mi)機械加工處理(li)后(hou)外壁顆料和(he)化(hua)工物(wu)殘余物(wu),制止鎢(wu)(wu)外壁結垢(gou),消減cnc精密(mi)機械加工處理(li)后(hou)晶圓外壁常見問題。
能夠(gou)清理鋁增(zeng)加(jia)光(guang)澤(ze)后(hou)外(wai)外(wai)觀(guan)(guan)粉末(mo)和(he)化學(xue)式物農藥殘留,預(yu)防鋁外(wai)外(wai)觀(guan)(guan)的(de)腐蝕,消減增(zeng)加(jia)光(guang)澤(ze)后(hou)晶圓外(wai)外(wai)觀(guan)(guan)的(de)缺(que)陷。
有效(xiao)性剔(ti)除氮化硅(gui)打蠟 后表(biao)層(ceng)(ceng)顆料和化學(xue)式物農藥(yao)殘留,降打蠟 后晶圓表(biao)層(ceng)(ceng)偏(pian)差(cha)。
用(yong)來新(xin)建筑材(cai)料磨光后的清(qing)潔工作,大(da)幅度降低(di)磨光后晶圓外面不足。
有效地避開(kai)增(zeng)加(jia)光澤(ze)墊(dian)上(shang)的(de)增(zeng)加(jia)光澤(ze)副剩余物,拉長增(zeng)加(jia)光澤(ze)墊(dian)的(de)運用生命周期,減(jian)低增(zeng)加(jia)光澤(ze)后晶(jing)圓表層偏差(cha)。
基于液體及固體表面處理技術平臺,配合客戶工藝需求,提供特殊工藝刻蝕液,包括高選擇比磷酸等。
基于自主研發及合作,提供集成電路大馬士革工藝及先進封裝領域的電鍍液及添加劑產品系列。
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