1.鋁制程刻蝕后清洗液

光憑(ping)羥胺現貨(huo)經銷商現貨(huo)出(chu)售安(an)全防護克(ke)服(fu)策劃方案，展(zhan)示 半(ban)水溶性鋁(lv)(lv)鎂(mei)合金品(pin)程刻蝕(shi)后的(de)清潔劑及(ji)胺基鋁(lv)(lv)鎂(mei)合金品(pin)程刻蝕(shi)后的(de)清潔劑。

物品應該用(yong)于模塊化電路設計鋁合金程(cheng)制(zhi)作工(gong)藝(yi)金屬質材料(liao)線、通孔及(ji)金屬質材料(liao)焊盤（pad）蝕(shi)刻(ke)殘(can)余物物取除(chu)，供(gong)給優良(liang)的蝕(shi)刻(ke)殘(can)余物物取除(chu)的能(neng)力、低料(liao)工(gong)費。物品已在85屏幕尺(chi)寸及(ji)125屏幕尺(chi)寸邏輯性處理IC芯片、存(cun)貯處理IC芯片等業務領域產量。

2.銅大馬士革工藝刻蝕后清洗液

軟件于模塊化用電線路銅互連(lian)大馬(ma)士革工藝技術蝕刻剩余(yu)的物(wu)清除。貨品含(han)有非(fei)常好(hao)的的蝕刻剩余(yu)的物(wu)清除實力、低問(wen)題、低直接費(fei)用。

3.硬掩模銅大馬士革工藝刻蝕后清洗液

應(ying)運(yun)于結合控制電路硬(ying)掩模(mo)銅互(hu)連(lian)大馬士(shi)革藝蝕刻農藥余(yu)留物(wu)取(qu)(qu)除(chu)(chu)。新(xin)產(chan)(chan)品(pin)(pin)的(de)(de)展示 高氮化鈦硬(ying)掩模(mo)取(qu)(qu)除(chu)(chu)程(cheng)(cheng)度、出眾的(de)(de)蝕刻農藥余(yu)留物(wu)取(qu)(qu)除(chu)(chu)程(cheng)(cheng)度、低(di)異常現象、低(di)利潤。新(xin)產(chan)(chan)品(pin)(pin)的(de)(de)都已經在28nm道理集成塊量產(chan)(chan)u盤(pan)，并在28nm及下面枝術點位不(bu)斷地(di)驗證通(tong)過。

1.銅化學機械拋光后的清洗

有效果(guo)清掉銅cnc精密機(ji)械(xie)加工處(chu)理后(hou)外表(biao)皮科(ke)粒和化學工業物余(yu)留(liu)，避免銅外表(biao)皮生銹，減少cnc精密機(ji)械(xie)加工處(chu)理后(hou)晶圓外表(biao)皮障礙。商品(pin)可適合(he)于130-28nm的銅制造cnc精密機(ji)械(xie)加工處(chu)理后(hou)擦拭(shi)。

2.鎢化學機械拋光后的清洗

很好(hao)取(qu)除鎢(wu)打(da)磨(mo)增(zeng)加光澤后外(wai)表能粒狀(zhuang)和生物學(xue)物雜(za)質，必(bi)免鎢(wu)外(wai)表能的(de)腐蝕，變低打(da)磨(mo)增(zeng)加光澤后晶圓外(wai)表能缺(que)陷報告。

3.鋁化學機械拋光后的清洗液

高效取除(chu)鋁(lv)磨(mo)光(guang)后表明(ming)粉末和化工物殘余的，以免鋁(lv)表明(ming)浸蝕，降底磨(mo)光(guang)后晶圓(yuan)表明(ming)常見(jian)問(wen)題(ti)。

4.氮化硅化學機械拋光后的清洗

有效果快速清理氮(dan)化硅(gui)打(da)磨后(hou)漆層小粒(li)和電(dian)化學物留下，縮減打(da)磨后(hou)晶(jing)圓漆層的缺陷。

5.用于新材料化學機械拋光后的清洗

使(shi)用在新產(chan)品打磨后(hou)的洗滌，下降打磨后(hou)晶圓外表缺(que)陷(xian)報告。

6.拋光墊清洗液

有效率祛除拋光(guang)處(chu)(chu)理(li)(li)墊(dian)上的(de)(de)拋光(guang)處(chu)(chu)理(li)(li)副終產(chan)物，延長至拋光(guang)處(chu)(chu)理(li)(li)墊(dian)的(de)(de)選(xuan)用質保期，減(jian)少拋光(guang)處(chu)(chu)理(li)(li)后晶圓表(biao)面上缺陷報告。